合成金屬導(dǎo)論

1 緒論
1.1 合成金屬的基本概念
1.2 合成金屬的導(dǎo)電機理
1.3 合成金屬的維度概念
本章參考文獻
2 合成金屬的結(jié)構(gòu)及其電、光、磁性能
2.1 二聚體的形式及其組成
2.2 二聚體的結(jié)構(gòu)性質(zhì)
2.3 二聚體的電荷轉(zhuǎn)移與光吸收性能
2.4 二聚體的磁性能
2.5 Donor的結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電率
2.6 氫鍵對CT-鹽晶體結(jié)構(gòu)的影響
本章參考文獻
3 常見的有機電子供給體的合成
3.1 四硫族元素取代的富瓦烯衍生物的合成
3.2 其他類型的電子供給體
3.3 其他類型的電子供給體
3.4 多硫族元素取代的稠環(huán)芳香烴
3.5 多硫族元素取代的四氧代富瓦烯和四磷代富瓦烯
本章參考文獻
4 常見的電子接受體的合成
4.1 TCNQ及其衍生物的合成
4.2 TCNQ及其衍生物的合成
4.3 過渡金屬元素配位化合物M（dmit）2和M（dddt）2
4.4 5,10-二碘－5,10－二氫二硼雜蒽及其衍生物
4.5 1，2－二（）對苯醌）－3－二氰亞甲基雜醌－環(huán)丙烷及其衍生物
4.6 1，4，5，8－萘醌及其衍生物
4.7 電荷補償離子的合成
本章參考文獻
5 合成金屬（有機導(dǎo)體）的制備
6 由BEDT-TTF構(gòu)成的有機超導(dǎo)體
7 由C60構(gòu)成的有機超導(dǎo)體
8 CT－鹽的L-B膜
9 合成金屬的應(yīng)用
10 TTF型導(dǎo)電聚合物的制備——合成金屬研究的一種發(fā)展趨勢
附錄A 四極控針法測試導(dǎo)電率簡介
附錄B LB膜技術(shù)
附錄C 循環(huán)伏安法簡介