模擬電子線路：理論、實驗與仿真

第1章半導體二極管及其基本電路
1.1半導體的基本知識
1.1.1半導體材料
1.1.2半導體的共價鍵結(jié)構(gòu)
1.1.3本征半導體.空穴及其導電作用
1.1.4雜質(zhì)半導體
1.2半導體二極管及其基本特性
1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)與符號
1.2.2二極管的單向?qū)щ娦?br />1.2.3二極管的反向擊穿特性
1.2.4二極管的電容效應
1.2.5二極管的光電效應
1.2.6二極管的溫度特性
1.2.7實驗與仿真
1.3二極管的基本應用電路
1.3.1開關與整流電路
1.3.2穩(wěn)壓電路
1.3.3光-電轉(zhuǎn)換與電-光轉(zhuǎn)換電路
1.3.4電調(diào)諧電路
1.3.5實驗與仿真
1.4二極管的等效電路模型
1.5二極管的主要參數(shù).分類及其選擇
本章小結(jié)
習題1
第2章半導體三極管及其基本放大電路
2.1半導體三極管
2.1.1三極管的結(jié)構(gòu)與符號
2.1.2三極管的電流分配關系
2.1.3實驗與仿真
2.2共射基本放大電路
2.2.1共射基本放大電路的原理電路
2.2.2共射基本放大電路的實際電路
2.2.3放大電路中各點電壓.電流及其波形
2.2.4實驗與仿真
2.3放大電路的性能指標
2.3.1放大倍數(shù)
2.3.2輸入電阻
2.3.3輸出電阻
2.3.4最大輸出幅值
2.3.5非線性失真系數(shù)
2.3.6實驗與仿真
2.4放大電路的分析
2.4.1三極管的共射特性曲線
2.4.2圖解分析法
2.4.3小信號等效電路分析法
2.4.4實驗與仿真
2.5工作點穩(wěn)定的電路
2.5.1溫度對工作點的影響
2.5.2分壓式偏置電路
2.5.3實驗與仿真
2.6共集電極電路和共基極電路
2.6.1共集電極電路
2.6.2共基極電路
2.6.3實驗與仿真
2.7放大電路的頻率響應
2.7.1放大電路的頻率特性與通頻帶
2.7.2單級放大電路的低頻頻率特性分析
2.7.3單級放大電路的高頻頻率特性分析
2.7.4多級放大電路的頻率特性分析
2.7.5實驗與仿真
2.8三極管的主要參數(shù).分類與命名方法
2.8.1三極管的主要參數(shù)
2.8.2三極管的分類及命名方法
本章小結(jié)
習題2
第3章場效應管及其基本放大電路
3.1結(jié)型場效應管(JFET)
3.1.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
3.1.2實驗與仿真
3.1.3JFET的特性曲線
3.1.4JFET的微變等效電路
3.1.5JFET的主要參數(shù)
3.2金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)
3.2.1N溝道增強型MOSFET
3.2.2N溝道耗盡型MOSFET
3.2.3各種FrET的比較與使用注意事項
3.2.4實驗與仿真
3.3場效應管放大電路(FETAMPLIFIER)
3.3.1FET的偏置電路及靜態(tài)分析
3.3.2FET放大電路的動態(tài)分析
3.3.3實驗與仿真
本章小結(jié)
習題3
第4章負反饋放大電路
4.1反饋的基本概念與分類
4.1.1反饋的基本概念
4.1.2反饋的形式及其判別
4.1.3實驗與仿真
4.2負反饋放大器的組態(tài)及其計算
4.2.1負反饋放大器的組態(tài)
4.2.2負反饋放大器的計算
4.2.3負反饋放大器的一般表達式
4.3負反饋對放大器性能的影響
4.3.1增益穩(wěn)定性的提高
4.3.2非線性失真的減小
4.3.3通頻帶的擴展
4.3.4對輸入電阻和輸出電阻的控制
4.3.5放大電路中引入負反饋的一般原則
4.3.6實驗與仿真
4.4深度負反饋放大器的近似計算
4.4.1利用公式進行近似計算
4.4.2利用"虛短"與"虛斷"的概念進行近似計算
4.5負反饋放大器的穩(wěn)定性
4.5.1負反饋放大器的自激振蕩
4.5.2負反饋放大器的穩(wěn)定工作條件
4.5.3負反饋放大器自激現(xiàn)象的消除
本章小結(jié)
習題4
第5章集成運算放大器及其應用
5.1集成電路與集成運算放大器簡介
5.1.1集成電路的分類與封裝
5.1.2模擬集成電路的電性能特點
5.1.3集成運放及其基本組成
5.2差動放大器
5.2.1簡單差動放大器
5.2.2射極耦合差動放大器
5.2.3具有恒流源的差動放大器
5.2.4實驗與仿真
5.3集成運算放大器電路
5.3.1集成運放的基本單元電路
5.3.2μA741雙極型集成運放
5.3.3集成運放的主要參數(shù)
5.4集成運放的應用
5.4.1基本運算電路
5.4.2有源濾波電路
5.4.3非線性應用電路
5.4.4實驗與仿真
本章小結(jié)
習題5
第6章低頻功率放大電路
6.1功率放大器的一般問題
6.1.1功率放大器的特點及要求
6.1.2功率放大電路提高效率的主要途徑
6.1.3實驗與仿真
6.2乙類雙電源互補對稱功率放大電路
6.2.1電路組成
6.2.2分析計算
6.2.3功率BJT的選擇
6.2.4實驗與仿真
6.3甲乙類互補對稱功率放大電路
6.3.1甲乙類雙電源互補對稱電路
6.3.2甲乙類單電源互補對稱電路
6.3.3實驗與仿真
6.4集成功率放大器
6.5功率器件
6.5.1功率BJT
6.5.2功率MOSFET
6.5.3功率模塊
本章小結(jié)
習題6
第7章直流穩(wěn)壓電源
7.1直流穩(wěn)壓電源的基本組成及工作原理
7.1.1直流穩(wěn)壓電源的組成
7.1.2直流穩(wěn)壓電源各部分原理
7.1.3實驗與仿真
7.1.4直流穩(wěn)壓電源的性能指標
7.2串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路
7.2.1串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的工作原理
7.2.2三端集成穩(wěn)壓器
7.2.3實驗與仿真
7.3開關式直流穩(wěn)壓電路
本章小結(jié)
習題7
*第8章正弦波振蕩電路
8.1正弦波振蕩電路的振蕩條件
8.2RC正弦波振蕩電路
8.3LC正弦波振蕩電路
8.3.1LC選頻放大電路
8.3.2變壓器反饋式LC振蕩電路
8.3.3三點式LC振蕩電路
8.3.4石英晶體振蕩電路
本章小結(jié)
習題8
附錄A半導體器件型號命名方法
附錄B常用半導體三級管參數(shù)及其代換
附錄C部分集成運算放大器主要參數(shù)表
參考文獻