數(shù)字CMOS VLSI分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

第一章  MOS晶體貿(mào)工作原理                  
 1. 1  MOS晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和基本原理                  
 1. 2  MOS晶體管的閾值電壓分析                  
 1. 3  MOS晶體管的電流方程                  
 1. 4  MOS晶體管的瞬態(tài)特性                  
 第二章  MOS器件按比例縮小                  
 2. 1  按比例縮小理論                  
 2. 2  高電場(chǎng)效應(yīng)對(duì)按比例縮小器件性能的影響                  
 2. 3  不能按比例縮小的參數(shù)的影響                  
 2. 4  VLSI發(fā)展的實(shí)際限制                  
 第三章  CMOS IC工藝流程及電路中的寄生效應(yīng)                  
 3. l  集成電路制作中的幾個(gè)基本工藝步驟                  
 3. 2  CMOS ICI藝流程                  
 3. 3  CMOS IC中的寄生效應(yīng)                  
 第四章  CMOS反相器和 CMOS傳輸門                  
 4. 1  CMOS反相器的直流特性                  
 4. 2  CMOS反相器的瞬態(tài)特性                  
 4. 3  CMOS反相器的功耗                  
 4. 4  CMOS反相器的設(shè)計(jì)                  
 4. 5  CMOS和NMOS電路性能比較                  
 4. 6  CMOS傳輸門                  
 第五章  CMOS靜態(tài)邏輯電路設(shè)計(jì)                  
 5. 1  靜態(tài)CMOS邏輯門的構(gòu)成特點(diǎn)                  
 5. 2  CMOS與非門的分析                  
 5. 3  CMOS或非門的分析                  
 5. 4  CMOS與非門和或非門的設(shè)計(jì)                  
 5. 5  組合邏輯電路的設(shè)計(jì)                  
 5. 6  類NMOS電路                  
 5. 7  傳輸門邏輯電路                  
 5. 8  差分CMOS邏輯系列                  
 第六章  動(dòng)態(tài)和時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)                  
 6. 1  動(dòng)態(tài)邏輯電路的特點(diǎn)                  
 6. 2  預(yù)充一求值的動(dòng)態(tài)CMOS電路                  
 6. 3  多米諾（Domino）CMOS電路                  
 6. 4  時(shí)鐘 CMOS（C MOS）電路                  
 6. 5  無(wú)競(jìng)爭(zhēng)（NORA）動(dòng)態(tài)CMOS電路                  
 6. 6  CMOS觸發(fā)器                  
 6. 7  時(shí)序邏輯電路                  
 第七章  輸入. 輸出緩沖器                  
 7. 1  輸入緩沖器                  
 7. 2  輸入保護(hù)電路                  
 7. 3  輸出緩沖器                  
 7. 4  脫片輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)的設(shè)計(jì)                  
 7. 5  三態(tài)輸出和雙向緩沖器                  
 第八章  MOS存儲(chǔ)器                  
 8. 1  DRAM                  
 8. 2  SRAM                  
 8. 3  ROM和PLD                  
 第九章  MOS IC的版圖設(shè)計(jì)                  
 9. 1  VLSI的設(shè)計(jì)方法                  
 9. 2  門陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)方法                  
 9. 3  版圖設(shè)計(jì)                  
 第十章  SOICMOS簡(jiǎn)介                  
 10. 1  SOI CMOS工藝                  
 10. 2  薄膜SOIMOSFET的基本特性                  
 10. 3  短溝薄膜SOIMOSFET的二級(jí)效應(yīng)                  
 第十一章  BICMOS電路                  
 11. 1  MOS和雙極型器件性能比較                  
 11. 2  BICMOS工藝和器件結(jié)構(gòu)                  
 11. 3  BiCMOS邏輯門的設(shè)計(jì)                  
 11. 4  BiCMOS和CMOS電路性能的比較                  
 11. 5  BiCMOS電路實(shí)例                  
 主要符號(hào)表                  
 主要參考文獻(xiàn)                  
 附錄