硅微機(jī)械加工技術(shù)

1 簡(jiǎn)介
參考文獻(xiàn)
2 各向異性濕法腐蝕
2.1 簡(jiǎn)介
2.2 單晶硅的機(jī)械特性
2.3 硅的晶體特性
2.4 腐蝕過程
2.5 實(shí)驗(yàn)方法
2.6 各向異性腐蝕劑的特性
2.7 〈100〉和〈110〉晶向硅片的微機(jī)械加工
2.8 腐蝕自停止機(jī)理
2.9 掩模材料
2.10 邊角補(bǔ)償
2.11 其他
參考文獻(xiàn)
3 濕法化學(xué)腐蝕的化學(xué)物理機(jī)制
3.1 簡(jiǎn)介
3.2 晶體知識(shí)回顧：表面的原子結(jié)構(gòu)
3.3 表面自由能和階梯自由能
3.4 熱動(dòng)力學(xué)
3.5 動(dòng)力學(xué)
3.6 腐蝕速率圖
3.7 階梯狀的直接顯示
3.8 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
4 硅片鍵合
4.1 簡(jiǎn)介
4.2 硅熔融鍵合（SFB）
4.3 陽(yáng)極鍵合
4.4 低溫鍵合
參考文獻(xiàn)
5 實(shí)例和應(yīng)用
5.1 簡(jiǎn)介
5.2 薄膜
5.3 梁
參考文獻(xiàn)
6 表面微機(jī)械加工
6.1 簡(jiǎn)介
6.2 表面微機(jī)械處理中的基本制造工藝
6.3 應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
7 硅的各向同性濕法化學(xué)腐蝕
7.1 腐蝕液和腐蝕速率圖
7.2 擴(kuò)散和攪拌
7.3 掩模材料
7.4 陽(yáng)極HF腐蝕
參考文獻(xiàn)
8 微機(jī)械加工技術(shù)中干法等離子刻蝕技術(shù)簡(jiǎn)介
8.1 微機(jī)械加工技術(shù)
8.2 等離子體
8.3 刻蝕
8.4 概況
參考文獻(xiàn)
9 為何采用等離子體刻蝕
9.1 氣體刻蝕
9.2 濕法刻蝕
9.3 干法刻蝕
參考文獻(xiàn)
10 什么是等離子刻蝕
11 等離子體系統(tǒng)配置
12 接觸式等離子體刻蝕
13 遠(yuǎn)程等離子體刻蝕
14 高深寬比溝槽刻蝕
15 微型結(jié)構(gòu)的鑄模
16 可動(dòng)的微結(jié)構(gòu)的制造
關(guān)鍵詞英漢對(duì)照