碳化硅晶體生長與缺陷

前言
1 碳化硅晶體的多型結構與表征
1.1 晶體的多型
1.2 碳化硅晶體的結構層與基本結構單元
1.3 碳化硅晶體多型的共生與連生
1.4 3C-SiC多型的結構
1.5 2H-SiC多型的結構
1.6 4H-SiC多型的結構
1.7 6H-SiC多型的結構
1.8 15R-SiC多型的結構
1.9 碳化硅晶體多型結構參數(shù)的變化
1.10 碳化硅晶體多型結構鑒別概述
1.11 X射線衍射法鑒別碳化硅晶體多型結構
1.12 高分辨率透射電子顯微鏡法鑒別碳化硅晶體多型結構
1.13 吸收光譜法鑒別碳化硅晶體多型結構
1.14 拉曼光譜法鑒別碳化硅晶體多型結構
符號說明和注解
2 碳化硅晶體的物理氣相輸運（PVT）法生長
2.1 硅-碳二元體系和硅-碳-金屬元素三元體系的相圖
2.2 固態(tài)碳化硅分解升華的熱力學研究
2.3 PVT法碳化硅晶體生長技術的發(fā)展歷程
2.4 PVT法碳化硅晶體生長系統(tǒng)概述
2.5 PVT法碳化硅晶體生長模型研究
2.6 PVT法碳化硅晶體生長系統(tǒng)的可控變量與間接變量
2.7 PVT法碳化硅晶體生長系統(tǒng)變量之間的強耦合
2.8 生長原料區(qū)溫度場和碳化硅粉體的演變
2.9 石墨坩堝生長腔內溫度場的演變
符號說明和注解
3 氣相組分和碳化硅晶體的生長機制
3.1 氣相組分概述
3.2 PVT法碳化硅晶體生長的螺旋位錯機制
3.3 氣相組分在PVT法碳化硅晶體生長研究中的地位
3.4 純硅氣相組分Sim的穩(wěn)定構型與能量
3.5 純碳氣相組分Cn的穩(wěn)定構型與能量
3.6 硅碳氣相組分SimCn的穩(wěn)定構型與能量
3.7 氣相組分SimCn構型的轉變
3.8 氣相組分SimCn的化學序
3.9 氣相組分SimCn的相互作用
3.10 氣相組分SimCn在生長界面上的結晶
符號說明和注解
4 碳化硅晶體的結晶缺陷
4.1 碳化硅晶體結晶缺陷概述
4.2 碳化硅晶片結晶質量的整體評價
4.3 碳化硅晶片幾何特性和表面加工質量的整體評價
4.4 多型共生缺陷
4.5 鑲嵌結構缺陷
4.6 堆垛層錯
4.7 孔道與微管道
符號說明和注解
后記