自旋電子學基礎(chǔ)

第1章 引言
1.1 電子的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展簡況
1.1.1 電子的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展
1.1.2 電子學器件的發(fā)展
1.2 電子的自旋屬性
1.3 自旋電子學的發(fā)展概況
第2章 磁電阻效應
2.1 磁電阻效應的發(fā)展過程
2.2 各向異性磁電阻
2.2.1 各向異性磁電阻概述
2.2.2 各向異性磁電阻理論
2.2.3 各向異性磁電阻實驗研究
2.3 巨磁電阻效應
2.3.1 多層膜結(jié)構(gòu)
2.3.2 自旋閥結(jié)構(gòu)
2.3.3 磁性金屬和非磁性金屬顆粒膜結(jié)構(gòu)
2.4 隧道型磁電阻效應
2.4.1 磁性隧道結(jié)
2.4.2 鐵磁性金屬一絕緣體顆粒膜
2.4.3 多晶磁性材料中的隧道型磁電阻效應
2.4.4 隧道型磁電阻的相關(guān)理論
2.5 龐磁電阻效應
2.5.1 鈣鈦礦錳基氧化物的龐磁電阻效應
2.5.2 鈣鈦礦錳基氧化物中的相互作用
2.5.3 鈣鈦礦錳基氧化物中的低場磁電阻效應
2.5.4 鈣鈦礦錳基氧化物中的電荷有序現(xiàn)象
2.5.5 鈣鈦礦錳基氧化物中的相分離現(xiàn)象
2.5.6 鈣鈦礦錳基氧化物中的磁熵變現(xiàn)象
2.6 幾種其他磁電阻效應
2.6.1 彈道磁電阻效應
2.6.2 磁性金屬一碳基材料中的磁電阻效應
2.6.3 磁性金屬一氧化物寬帶半導體復合薄膜中的磁電阻效應
2.6.4 非磁性半導體中的磁電阻效應
2.6.5 石墨烯中的磁電阻效應
第3章 電子自旋注入
3.1 電子自旋極化簡介
3.2 電子自旋注入的相關(guān)理論
3.2.1 F/N結(jié)
3.2.2 F/N/F結(jié)
3.2.3 空間電荷區(qū)域的自旋注入
3.3 電子自旋注入的實驗現(xiàn)象
3.3.1 Johnson-Silsbee自旋注入
3.3.2 自旋注入金屬
3.3.3 自旋注入半導體
3.3.4 金屬鐵磁體一半導體異質(zhì)結(jié)
3.4 自旋弛豫
3.4.1 自旋弛豫簡介
3.4.2 自旋弛豫機制
3.4.3 金屬中的自旋弛豫
3.4.4 半導體中的自旋弛豫
3.5 自旋極化輸運
3.5.1 F/I/S隧穿
3.5.2 F/I/F隧穿
3.5.3 Andreev反射
3.5.4 自旋極化飄移和擴散
第4章 半金屬材料
4.1 半金屬鐵磁體簡介
4.2 Heusler合金和閃鋅礦結(jié)構(gòu)化合物
4.2.1 Heusler-Clb合金
4.2.2 閃鋅礦結(jié)構(gòu)半金屬
4.2.3 Heusler-12i合金
4.3 少數(shù)自旋帶隙的強磁性半金屬
4.3.1 二氧化鉻（Cro2）
4.3.2 CMR材料
4.4 多數(shù)自旋帶隙的弱磁性半金屬
4.4.1 雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)
4.4.2 四氧化三鐵（Fe304）
4.5 多數(shù)自旋帶隙的強磁性半金屬
4.6 硫化物
4.6.1 硫鐵礦
4.6.2 尖晶石
4.7 其他半金屬材料
4.7.1 釕的氧化物
……
第5章 稀磁半導體
第6章 自旋矩
第7章 有機自旋電子學
第8章 自旋電子學器件原理簡介