晶體生長原理與技術(shù)（第二版）

　　本書分4篇探討晶體生長的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長的基本原理，分5章對晶體生長的熱力學原理、動力學原理、界面過程、生長形態(tài)及晶體生長初期的形核相關(guān)原理進行論述。第二篇為晶體生長的技術(shù)基礎，分3章進行晶體生長過程的涉及傳輸行為（傳質(zhì)、傳熱、對流）、化學基礎問題（材料的提純與合成問題）以及物理基礎（電、磁、力的作用原理）的綜合分析。第三篇為晶體生長技術(shù)，分4章分別對以Bridgman法為主的熔體法晶體生長、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長、溶液法晶體生長以及氣相晶體生長技術(shù)與**發(fā)展進行介紹。第四篇分2章分別對晶體生長過程中缺陷的形成與控制和晶體的結(jié)構(gòu)與性能表征方法進行論述。

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