模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)（第2版）

第2版譯者序
第1版譯者序
第2版前言
第1版前言
第2版致謝
第1版致謝
作者簡(jiǎn)介
第1章 模擬電路設(shè)計(jì)緒論
1．1 模擬電路的重要性
1．1．1 信號(hào)的檢測(cè)與處理
1．1．2 數(shù)字信號(hào)傳輸中的模擬設(shè)計(jì)
1．1．3 需求旺盛的模擬設(shè)計(jì)
1．1．4 模擬設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
1．2 研究模擬集成電路的重要性
1．3 研究CMOS模擬集成電路的重要性
1．4 本書(shū)的特點(diǎn)
1．5 電路設(shè)計(jì)的抽象級(jí)別
第2章 MOS器件物理基礎(chǔ)
2．1 基本概念
2．1．1 MOSFET開(kāi)關(guān)
2．1．2 MOSFET的結(jié)構(gòu)
2．1．3 MOS符號(hào)
2．2 MOS的I-V特性
2．2．1 閾值電壓
2．2．2 I-V特性的推導(dǎo)
2．2．3 MOSFET的跨導(dǎo)
2．3 二級(jí)效應(yīng)
2．4 MOS器件模型
2．4．1 MOS器件版圖
2．4．2 MOS器件電容
2．4．3 MOS小信號(hào)模型
2．4．4 MOS SPICE模型
2．4．5 NMOS與PMOS器件的比較
2．4．6 長(zhǎng)溝道器件與短溝道器件的比較
2．5 附錄A：鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）
2．6 附錄B：用作電容器的MOS器件的特性
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第3章 單級(jí)放大器
3．1 應(yīng)用
3．2 概述
3．3 共源級(jí)
3．3．1 采用電阻作負(fù)載的共源級(jí)
3．3．2 采用二極管連接型器件作負(fù)載的共源級(jí)
3．3．3 采用電流源作負(fù)載的共源級(jí)
3．3．4 有源負(fù)載的共源級(jí)
3．3．5 工作在線性區(qū)的MOS為負(fù)載的共源級(jí)
3．3．6 帶源極負(fù)反饋的共源級(jí)
3．4 源跟隨器
3．5 共柵級(jí)
3．6 共源共柵級(jí)
3．6．1 折疊式共源共柵
3．7 器件模型的選擇
習(xí)題
第4章 差動(dòng)放大器
4．1 單端與差動(dòng)的工作方式
4．2 基本差動(dòng)對(duì)
4．2．1 定性分析
4．2．2 定量分析
4．2．3 帶源極負(fù)反饋的差動(dòng)對(duì)
4．3 共模響應(yīng)
4．4 MOS為負(fù)載的差動(dòng)對(duì)
4．5 吉爾伯特單元
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第5章 電流鏡與偏置技術(shù)
5．1 基本電流鏡
5．2 共源共柵電流鏡
……
第6章 放大器的頻率特性
第7章 噪聲
第8章 反饋
第9章 運(yùn)算放大器
第10章 穩(wěn)定性與頻率補(bǔ)償
第11章 納米設(shè)計(jì)分析
第12章 帶隙基準(zhǔn)
第13章 開(kāi)關(guān)電容電路導(dǎo)論
第14章 非線性與不匹配
第15章 振蕩器
第16章 鎖相環(huán)
第17章 短溝道效應(yīng)與器件模型
第18章 CMOS工藝技術(shù)
第19章 版圖與封裝
索引