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內(nèi)容簡介

　　本書共分為4章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路（LSI）的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書中各處開設(shè)了專欄，用以介紹每個領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級可靠性技術(shù)者”資格認定考試，題型為5選1，希望大家可以利用這些例題來測試一下自身的水平。本書的讀者包括：半導(dǎo)體器件工藝及器件的相關(guān)技術(shù)人員，可靠性技術(shù)人員，失效分析技術(shù)人員，試驗、分析、實驗的負責(zé)人，以及大學(xué)生、研究生等。因此，羅列的內(nèi)容層次從基礎(chǔ)介紹到最新研究，覆蓋范圍較廣。

作者簡介

　　山本秀和，北海道大學(xué)研究生院工學(xué)研究科電氣工學(xué)博士。在三菱電機從事Si-LSI及功率器件的研究開發(fā)?，F(xiàn)任千葉工業(yè)大學(xué)教授，從事功率器件和功率器件產(chǎn)品的分析技術(shù)研究。曾任北海道大學(xué)客座教授、功率器件賦能協(xié)會理事、新金屬協(xié)會硅晶體分析技術(shù)國際標(biāo)準(zhǔn)審議委員會委員長、新金屬協(xié)會半導(dǎo)體供應(yīng)鏈研究會副委員長等。上田修，東京大學(xué)工學(xué)部物理工學(xué)博士。1974—2005年，在富士通研究所（股份有限公司）從事半導(dǎo)體中晶格缺陷的分析以及半導(dǎo)體發(fā)光器件、電子器件劣化機制闡明的研究。2005—2019年，在金澤工業(yè)大學(xué)研究生院工學(xué)研究科任教授?，F(xiàn)為明治大學(xué)客座教授。二川清，大阪大學(xué)研究生院基礎(chǔ)工學(xué)研究科物理系工學(xué)博士。在NEC和NEC電子從事半導(dǎo)體可靠性和失效分析技術(shù)的實際業(yè)務(wù)和研究開發(fā)。曾任大阪大學(xué)特聘教授、金澤工業(yè)大學(xué)客座教授、日本可靠性學(xué)會副會長等職?，F(xiàn)任芝浦工業(yè)大學(xué)兼職講師。

圖書目錄

前言
第1章半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要/
1.1失效分析的定位/
1.2缺陷分析的定位/
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要/
專欄:NANOTS的成立與更名/
第1章參考文獻/
第2章硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)/
2.1失效分析的步驟和近8年新開發(fā)或普及的技術(shù)/
2.2封裝部件的失效分析/
2.3芯片部件失效分析過程和主要失效分析技術(shù)一覽/
2.4芯片部件的無損分析方法/
2.5芯片部件的半破壞性分析/
2.6物理和化學(xué)分析方法/
專欄:應(yīng)該如何命名?/
第2章練習(xí)題/
第2章縮略語表/
第2章參考文獻/
第3章功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)/
3.1功率器件的結(jié)構(gòu)和制造工藝/
3.2由晶圓制造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術(shù)/
專欄:晶圓背面狀態(tài)對工藝的影響/
3.3由芯片制造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術(shù)/
專欄:堿金屬的加速氧化/
3.4由模塊制造工藝引起的設(shè)備缺陷及失效分析技術(shù)/
3.5功率器件的其他分析技術(shù)/
專欄:增大用于功率器件的晶圓直徑/
第3章練習(xí)題/
第3章參考文獻/
第4章化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)/
4.1化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的工作原理和結(jié)構(gòu)/
4.2化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性(以半導(dǎo)體激光器為例)/
4.3化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性測試/
4.4化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件缺陷及失效分析的基本技術(shù)/
4.5化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件缺陷及失效分析流程圖/
專欄:高速增長的VCSEL市場，可靠性沒問題?不!/
第4章練習(xí)題/
第4章縮略語表/
第4章參考文獻/
作者介紹/
練習(xí)題答案