基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

　　本書共8章，主要內(nèi)容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結(jié)構(gòu)、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗(yàn)證、寄生效應(yīng)對(duì)GaN基功率轉(zhuǎn)換器的影響、GaN基AC/DC功率轉(zhuǎn)換器、GaN基開關(guān)模式功率放大器等。本書內(nèi)容涵蓋范圍廣，從材料生長(zhǎng)到器件制造、從特性分析到魯棒性驗(yàn)證、從電路設(shè)計(jì)到系統(tǒng)應(yīng)用，層次清晰且系統(tǒng)性較強(qiáng)，可讀性較高；其內(nèi)容具有一定的前瞻性與先進(jìn)性，所涉及的技術(shù)領(lǐng)域與工藝水平均為目前國(guó)際主流。本書可作為微電子、電子信息工程、電氣工程等專業(yè)的本科生以及相關(guān)專業(yè)的研究生教材，也可以供從事半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、器件可靠性分析、電力電子系統(tǒng)開發(fā)的工程技術(shù)人員參考。

暫缺《基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù)》作者簡(jiǎn)介